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东京电子最近宣告自己旗下的等离子体蚀刻体系的开发和制作基地，现已开宣布一种立异的通孔蚀刻技能，用于堆叠超越400层的先进3D NAND闪存芯片。开发团队的新工艺初次将电介质蚀刻运用带入低温规模，然后打造了一个具有极高蚀刻率的体系。目前国内长江存储在有先进设备的支持下，能做到232层堆叠，而东京电子新的蚀刻技能，则或许让未来的闪存芯片在功能和容量上踏入一个新的台阶。
据悉这项新的蚀刻技能，能够在短短半小时内完结10微米深度的高纵横比蚀刻，缩减了耗时，并且蚀刻结构的几许形状适当显着，也有助于制作更高容量的3D NAND闪存芯片。东京电子也发布了蚀刻后的相关印象，包含蚀刻后通孔图画的横截面SEM图画，以及孔底的FIB切开图画，其他的还有东京电子的3D NAND闪存芯片的事例。
不过东京电子的蚀刻技能大概率是无法在国内引进的，由于依照之前美国的半导体管控，先进的NAND堆叠技能是无法出口到我国的，包含设备也是如此。所以国内的长江存储现在产能也因而遭到了不小的影响。而东京电子也有许多技能和设备由于半导体管控而无法输入到国内，所以很显然这个蚀刻技能和相应的设备，暂时是没办法进入国内的。
据2023年6月宣布的一篇关于该设备的论文称，东京电子的新式蚀刻机能够在极低的温度下进行超快蚀刻。据称，该蚀刻机能够在33分钟内蚀刻10微米。
业界消息人士称，东京电子还将运用由新激光制成的气体以及氩气和氟化碳气体。消息人士称，该蚀刻机遭到芯片制作商的好评，他们或许会批量购买这些设备。三星从上一年开端就对这款新式蚀刻机来测验，其正在考虑从第十代之后的NAND芯片开端运用该设备。
消息人士还称，泛林集团以为，当该蚀刻机开端发货时，其市场占有率或许会被东京电子夺去10%~15%。