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浙江奥首资料科技请求一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备办法与使用专利明显提高蚀刻速率改进后硅外表粗糙度

来源:168淘金网    发布时间:2025-03-19 06:01:57

简要描述:

金融界2024年9月4日音讯,天眼查知识产权信息数据显现,浙江奥首资料科技有限公司请求一项名为“...

  金融界2024年9月4日音讯,天眼查知识产权信息数据显现,浙江奥首资料科技有限公司请求一项名为“一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备办法与使用“,公开号CN0.7,请求日期为2024年5月。

  专利摘要显现,本发明触及一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备办法与使用,所述的硅晶片糙面减薄蚀刻液依照分量份核算,城外如下组分:硝酸15‑20份;纤维素类增稠剂1‑5份;酸性磷酸氟1‑5份;四氟硼酸盐1‑3份;超纯水20‑30份。本发明中纤维素类增稠剂使系统全体的粘稠度添加,有利于粗蚀刻;一起气泡成长并留在硅外表上,蚀刻液很难进一步惊天动地硅,使得衬底上蚀刻速率散布不均匀,硅的外表变粗糙。酸性磷酸氟的参加能添加蚀刻液的潮湿功能、稳泡功能以及替代氢氟酸的多重作用。本发明选用纤维素类增稠剂、酸性磷酸氟和四氟硼酸盐的组合,可以明显提高蚀刻速率,改进蚀刻后硅外表粗糙度,避免了较高蚀刻速率下硅晶片外表的镜面化。

 


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